Scanning Electron Microscopy

Scanning Electron Microscopy

Microscopie électronique à balayage

Page d'aide sur l'homonymie Pour les articles homonymes, voir MEB, SEM et Microscope.
Microscope électronique à balayage JEOL JSM-6340F

La microscopie électronique à balayage (MEB ou SEM pour Scanning Electron Microscopy en anglais) est une technique de microscopie électronique basée sur le principe des interactions électrons-matière, capable de produire des images en haute résolution de la surface dun échantillon.

Basé sur les travaux de Max Knoll et Manfred von Ardenne dans les années 1930, le principe du MEB consiste en un faisceau délectrons balayant la surface de léchantillon à analyser qui, en réponse, réémet certaines particules. Ces particules sont analysées par différents détecteurs qui permettent de reconstruire une image en trois dimensions de la surface.

Les travaux menés au laboratoire de Charles Oatley dans les années 1960 à luniversité de Cambridge ont grandement contribué au développement des MEB et ont conduit en 1965 à la première commercialisation par Cambridge Instrument Co.[1] Aujourdhui, la microscopie électronique à balayage est utilisée dans des domaines allant de la biologie aux sciences des matériaux et un grand nombre de constructeurs proposent des appareils de série équipés de détecteurs délectrons secondaires et dont la résolution se situe entre 0,4 nanomètre[2] et 20 nanomètres.

Sommaire

Principe général

Le pouvoir de résolution (capacité à distinguer des détails fins) de lœil humain avec un microscope optique est limité par la longueur donde de la lumière visible (photons) ainsi que par la qualité des lentilles grossissantes. Les plus puissants microscopes optiques peuvent distinguer des détails de 0,1 à 0,2 µm[3]. Si lon veut observer des détails plus fins, il faut diminuer la longueur donde qui éclaire les cibles. Dans le cas des microscopes électroniques, on nutilise pas des photons, mais des électrons, dont les longueurs dondes associées sont beaucoup plus faibles.

Schéma de principe « historique » de la microscopie à balayage. À partir des années 1980, le tube cathodique synchronisé avec le MEB a progressivement disparu pour céder la place à une acquisition numérique dimage.

La figure ci-contre illustre le schéma de principe dun MEB : une sonde électronique fine (faisceau délectrons) est projetée sur léchantillon à analyser. Linteraction entre la sonde électronique et léchantillon génère des électrons secondaires, de basse énergie qui sont accélérés vers un détecteur délectrons secondaires qui amplifie le signal. À chaque point dimpact correspond un signal électrique. Lintensité de ce signal électrique dépend à la fois de la nature de léchantillon au point dimpact qui détermine le rendement en électrons secondaires et de la topographie de léchantillon au point considéré. Il est ainsi possible, en balayant le faisceau sur léchantillon, dobtenir une cartographie de la zone balayée.

La sonde électronique fine est produite par un « canon à électrons » qui joue le rôle dune source réduite par des « lentilles électroniques » qui jouent le même rôle vis-à-vis du faisceau délectrons que des lentilles conventionnelles, photoniques dans un microscope optique. Des bobines disposées selon les deux axes perpendiculaires à laxe du faisceau et parcourues par des courants synchronisés permettent de soumettre la sonde à un balayage du même type que celui de la télévision. Les lentilles électroniques, qui sont généralement des lentilles magnétiques et les bobines de balayage forment un ensemble que lon appelle la colonne électronique.

Dans les MEB modernes, la cartographie délectrons secondaires est enregistrée sous forme numérique, mais le MEB a pu être développé dés le début des années 1960, bien avant la diffusion des moyens de stockage informatique, grâce à un procédé analogique qui consistait, comme sur le schéma de la figure, à synchroniser le balayage du faisceau dun tube cathodique avec celui du MEB, en modulant lintensité du tube par le signal secondaire. Limage de léchantillon apparaissait alors sur lécran phosphorescent du tube cathodique et pouvait être enregistrée sur une pellicule photographique.

Schéma dun MEB équipé dun détecteur de rayons X « EDS » (à dispersion dénergie)

Un microscope électronique à balayage est essentiellement composé dun canon à électrons et dune colonne électronique, dont la fonction est de produire une sonde électronique fine sur léchantillon, dune platine porte-objet permettant de déplacer léchantillon dans les trois directions et de détecteurs permettant de capter et danalyser les rayonnements émis par léchantillon. En outre lappareil doit nécessairement être équipé dun système de pompes à vide[4].

Histoire

Travaux préliminaires

Lhistoire de la microscopie à balayage découle en partie des travaux théoriques du physicien allemand Hans Busch sur la trajectoire des particules chargées dans les champs électromagnétiques. En 1926, il a démontré que de tels champs pouvaient être utilisés comme des lentilles électromagnétiques[5] établissant ainsi les principes fondateurs de loptique électronique géométrique. Suite à cette découverte, lidée dun microscope électronique prit forme et deux équipes, celle de Max Knoll et Ernst Ruska de lUniversité technique de Berlin et celle dErnst Brüche des laboratoires EAG envisagèrent de tester cette possibilité. Cette course a mené à la construction en 1932, par Knoll et Ruska, du premier microscope électronique en transmission[6].

Premier microscope à balayage

Après avoir rejoint Telefunken pour mener des recherches sur les tubes cathodiques des téléviseurs, Max Knoll a développé, afin détudier la cible de tubes électroniques analyseurs, un analyseur à faisceau délectrons qui réunissait toutes les caractéristiques dun microscope électronique à balayage : léchantillon se trouvait à lextrémité dun tube de verre scellé et un canon à électrons se trouvait à lautre extrémité. Les électrons, accélérés sous une tension de lordre de 500 à 4 000 volts, étaient focalisés sur la surface et un système de bobines les déviait. Le faisceau balayait la surface de léchantillon au rythme de 50 images par seconde. Le courant transmis par léchantillon récupéré, amplifié et modulé et permettait de reconstruire une image. Le premier appareil utilisant ce principe a été construit en 1935[7].

Par la suite, cest le scientifique allemand Manfred von Ardenne qui, en en 1938, a construit le premier microscope électronique à balayage[8]. Mais cet appareil ne ressemblait pas encore aux MEB modernes car il avait été créé pour étudier des échantillons très fins en transmission. Il sapparente donc plus à un microscope électronique à balayage par transmission (MEBT ou (en) STEM pour scanning transmission electron microscope). De plus, bien que doté dun écran à tube cathodique, les images étaient enregistrées sur des films photographiques disposés sur un tambour rotatif. Von Ardenne a ajouté des bobines de balayage à un microscope électronique en transmission. Le faisceau délectrons, dun diamètre de 0,01 µm, balayait la surface de léchantillon et les électrons transmis étaient récupérés sur le film photographique qui était déplacé au même rythme que le faisceau. La première micrographie obtenue par un MEBT fut limage dun cristal de ZnO grossi 8 000 fois avec une résolution latérale de 50 à 100 nanomètres. Limage était composée de 400 par 400 lignes et il a fallu 20 minutes pour lobtenir. Le microscope disposait de deux lentilles électrostatiques entourant les bobines de balayage.

En 1942, le physicien et ingénieur russe Vladimir Zworykin, qui travaillait dans les laboratoires de la Radio Corporation of America à Princeton aux États-Unis, a publié les détails du premier microscope électronique à balayage pouvant analyser une surface opaque et pas seulement analyser un échantillon fin en transmission. Un canon à électrons à filament de tungstène émettait des électrons qui étaient accélérés sous une tension de 10 000 volts. Loptique électronique de lappareil était composée de trois bobines électrostatiques, les bobines de balayage étant placées entre la première et la seconde lentille. Ce système donnait une image très réduite de la source de lordre de 0,01 µm. Fait assez courant au début de lhistoire des MEB, le canon à électrons se situait en bas du microscope pour que la chambre danalyse puisse se trouver à la bonne hauteur pour le manipulateur. Mais ceci avait une fâcheuse conséquence car léchantillon risquait ainsi de tomber dans la colonne du microscope. Ce premier MEB atteignait une résolution de lordre de 50 nm. Mais à cette époque, le microscope électronique en transmission se développait assez rapidement et en comparaison des performances de ce dernier, le MEB suscitait beaucoup moins de passion et son développement fut donc ralenti[9].

Développement du microscope électronique à balayage

À la fin des années 1940, Charles Oatley, alors maître de conférence dans le département dingénierie de luniversité de Cambridge au Royaume-Uni sintéressa au domaine de loptique électronique et décida de lancer un programme de recherche sur le microscope électronique à balayage, en complément des travaux effectués sur le microscope électronique à transmission par Ellis Cosslett, également à Cambridge dans le département de physique. Un des étudiants de Charles Oatley, Ken Sander, commença à travailler sur une colonne pour MEB en utilisant des lentilles électrostatiques mais il dut sinterrompre un an après en raison de la maladie. Cest Dennis McMullan qui reprit ces travaux en 1948. Charles Oatley et lui-même construisirent leur premier MEB (appelé SEM1 pour Scanning Electron Microscope 1) et en 1952, cet instrument avait atteint une résolution de 50 nm mais ce qui était le plus important était quil rendait enfin ce stupéfiant effet de relief, caractéristique des MEB modernes[10].

En 1960, linvention dun nouveau détecteur par Thomas Eugene Everhart et RFM Thornley va accélérer le développement du microscope électronique à balayage : détecteur Everhart-Thornley. Extrêmement efficace pour collecter les électrons secondaires ainsi que les électrons rétrodiffusés, ce détecteur va devenir très populaire et se retrouver sur presque chaque MEB.

Interaction électron-matière

Sem electrons photons.svg
Article détaillé : Interaction rayonnement-matière.

En microscopie optique classique, la lumière visible réagit avec léchantillon et les photons réfléchis sont analysés par des détecteurs ou par lœil humain. En microscopie électronique, le faisceau lumineux est remplacé par un faisceau délectrons primaires qui vient frapper la surface de léchantillon et les photons réémis sont remplacés par tout un spectre de particules ou rayonnements : électrons secondaires, électrons rétrodiffusés, électrons Auger ou rayons X. Ces différentes particules ou rayonnements apportent différents types dinformations sur la matière dont est constitué léchantillon[11].

Électrons secondaires

Électron secondaire
Article détaillé : Électron secondaire.

Lors dun choc entre les électrons primaires du faisceau et les atomes de léchantillon, un électron primaire peut céder une partie de son énergie à un électron peu lié de la bande de conduction de latome, provocant ainsi une ionisation par éjection de ce dernier. On appelle électron secondaire cet électron éjecté. Ces électrons possèdent généralement une faible énergie (environ 50 eV). Chaque électron primaire peut créer un ou plusieurs électrons secondaires.

De par cette faible énergie, les électrons secondaires sont émis dans les couches superficielles proches de la surface. Les électrons qui peuvent être recueillis par les détecteurs sont souvent émis à une profondeur inférieure à 10 nanomètres. Grâce à cette faible énergie cinétique, il est assez facile de les dévier avec une faible différence de potentiel. On peut ainsi facilement collecter un grand nombre de ces électrons et obtenir des images de bonne qualité avec un bon rapport signal/bruit et une résolution de lordre de 40 Å (ångström) pour un faisceau de 30 Å de diamètre.

Étant donné quils proviennent des couches superficielles, les électrons secondaires sont très sensibles aux variations de la surface de léchantillon. La moindre variation va modifier la quantité délectrons collectés. Ces électrons permettent donc dobtenir des renseignements sur la topographie de léchantillon. En revanche, ils donnent peu dinformation sur le contraste de phase (cf électrons rétrodiffusés)[12].

Électrons rétrodiffusés

Électron rétrodiffusé
Article détaillé : Électron rétrodiffusé.

Les électrons rétrodiffusés ((en)back-scattered electrons) sont des électrons résultant de linteraction des électrons du faisceau primaire avec des noyaux datomes de léchantillon et qui ont réagi de façon quasi élastique avec les atomes de léchantillon . Les électrons sont réémis dans une direction proche de leur direction dorigine avec une faible perte dénergie.

Ces électrons récupérés ont donc une énergie relativement élevée, allant jusquà 30 KeV, et beaucoup plus importante que celle des électrons secondaires. Ils peuvent être émis à une plus grande profondeur dans léchantillon. La résolution atteinte avec les électrons rétrodiffusés sera donc relativement faible, de lordre du micromètre ou du dixième de micromètre.

De plus, ces électrons sont sensibles au numéro atomique des atomes constituant léchantillon. Les atomes les plus lourds (ceux ayant un nombre important de protons) réémettront plus délectrons que les atomes plus légers. Cette particularité sera utilisée pour lanalyse en électrons rétrodiffusés. Les zones formées datomes avec un nombre atomique élevé apparaîtront plus brillante que dautres, cest le contraste de phase. Cette méthode permettra de mesurer lhomogénéité chimique dun échantillon et permettra une analyse qualitative[13].

Électrons Auger

Électrons Auger
Article détaillé : Électron Auger.

Lorsquun atome est bombardé par un électron primaire, un électron dune couche profonde peut être éjecté et latome entre dans un état excité. La désexcitation peut se produire de deux façons différentes : en émettant un photon X (transition radiative ou fluorescence X) ou en émettant un électron Auger (effet Auger). Lors de la désexcitation, un électron dune couche supérieure vient combler la lacune créée par lélectron initialement éjecté. Durant cette transition, lélectron périphérique perd une certaine quantité dénergie qui peut être émise sous forme de photon X ou peut alors être transmise à un électron dune orbite plus externe et donc moins énergétique. Cet électron périphérique se retrouve à son tour éjecté et peut être récupéré par un détecteur.

Les électrons Auger possèdent une très faible énergie et sont caractéristiques de latome qui les a émis. Ils permettent ainsi dobtenir des informations sur la composition de léchantillon et plus particulièrement de la surface de léchantillon ainsi que sur le type de liaison chimique, dans la mesure évidemment le MEB est équipé dun détecteur délectrons réalisant une discrimination en énergie. Ce sont des MEB spécialisés qui sont équipés danalyseurs en énergie. On parle alors d’« analyse Auger » ou de « spectrométrie Auger ». Le niveau de vide des microscopes électroniques Auger doit être bien meilleur que pour les MEB ordinaires, de lordre de 10-10 Torr[14].

Rayon X

Rayon X
Article détaillé : Rayon X.

Limpact dun électron primaire à haute énergie peut ioniser un atome à une couche interne. La désexcitation, le remplissage de lordre énergétique de la structure électronique, se produit avec émission de rayons X. Lanalyse de ces rayons permet dobtenir des informations sur la nature chimique de latome[15].

Instrumentation

Canon à électrons

Schéma dun canon à électrons
Article détaillé : Canon à électrons.

Le canon à électrons est un des composants essentiels dun microscope électronique à balayage. Cest en effet la source du faisceau délectrons qui viendra balayer la surface de léchantillon. La qualité des images et la précision analytique que lon peut obtenir avec un MEB requièrent que la tache électronique sur léchantillon soit à la fois fine, intense et stable. Une forte intensité dans une tache la plus petite possible nécessite une source « brillante ». Lintensité ne sera stable que si lémission de la source lest également.

Le principe du canon à électrons est dextraire les électrons dun matériau conducteur (qui en est une réserve quasiment inépuisable) vers le vide ils sont accélérés par un champ électrique. Le faisceau délectrons ainsi obtenu est traité par la colonne électronique qui en fait une sonde fine balayée sur léchantillon.

Il existe deux familles de canon à électrons selon le principe utilisé pour extraire les électrons :

Il existe également un principe intermédiaire : la source Schottky à émission de champ, de plus en plus employée.

Suivant ces distinctions et le mode de fonctionnement, les canons à électrons ont des propriétés et des caractéristiques différents. Il existe des grandeurs physiques pour les caractériser. La principale est la brillance mais la durée de vie est également très importante, ainsi que la stabilité. Le courant maximum disponible peut également être pris en considération, ainsi que la dispersion énergétique[16].

Brillance dune source

On peut définir la brillance B dune source par le rapport du courant émis par la source au produit de la surface de la source par langle solide. Dans le cas général, on ne sait mesurer que la surface dune « source virtuelle » qui est la zone d semblent provenir les électrons. (Définition à revoir)

B=\frac{\mathrm{courant~\acute{e}mis}}{(\mathrm{surface~de~la~source}) \times (\mathrm{angle~solide})}

Pour une source délectrons dont les caractéristiques sont :

  • le diamètre de la source virtuelle d ;
  • le courant émis Ie ;
  • le demi-angle douverture α.

lexpression de la brillance devient :

B=\frac{I_e}{(\pi (\frac{d}{2})^2) (\pi \alpha^2)}

Dans les systèmes optiques, la brillance, qui se mesure en A.m-2.sr-1 (ampères par unité de surface et par angle solide), a la propriété de se conserver lorsque lénergie daccélération est constante. Si lénergie varie, la brillance lui est proportionnelle. Pour obtenir un signal de détection abondant lorsque la tache électronique sur léchantillon est très petite, il faut que la brillance de la source soit la plus élevée possible. Dans la littérature, on trouve très souvent la brillance exprimée en A⋅cm-2.sr-1[17].

Émission thermoïonique : Filament de tungstène et pointes LaB6

Des matériaux tels que le tungstène et lhexaborure de lanthane (LaB6) sont utilisés en raison de leur faible travail de sortie, cest-à-dire de lénergie nécessaire pour extraire un électron de la cathode. En pratique, cette énergie est apportée sous forme dénergie thermique en chauffant la cathode à une température suffisamment élevée pour quune certaine quantité délectrons acquière lénergie suffisante pour franchir la barrière de potentiel qui les maintient dans le solide. Les électrons qui ont franchi cette barrière de potentiel se retrouvent dans le vide ils sont ensuite accélérés par un champ électrique.

Dans la pratique, on peut utiliser un filament de tungstène, formé comme une épingle à cheveux, que lon chauffe par effet Joule, comme dans une ampoule électrique. Le filament est ainsi porté à une température supérieure à 2 200 °C, typiquement 2 700 °C.

Les cathodes au LaB6 doivent être chauffées à une température moins élevée mais la technologie de fabrication de la cathode est un peu plus compliquée car le LaB6 ne peut pas être formé en filament. En fait, on accroche une pointe de monocristal de LaB6 à un filament en carbone. Le cristal dhexaborure de lanthane est porté aux alentours de 1 500 °C pour permettre lémission délectrons. Cette cathode nécessite un vide plus poussé que pour un filament de tungstène (de lordre de 10-6 à 10-7 torr contre 10-5). Les cathodes en hexaborure de Cerium (CeB6) ont des propriétés très voisines.

Le filament de tungstène porté à une température de 2 700 °C a une brillance typique de 105 A⋅(cm-2⋅sr-1) pour une tension daccélération de 20 kilovolts[18]. Il a, à cette température, une durée de vie entre 40 et 100 heures. Le diamètre de la source virtuelle est de lordre de 40 µm.

La cathode LaB6 portée à une température de 1 500 °C a une brillance typique de 106 A⋅cm-2⋅sr-1 pour une durée de vie entre 500 et 1 000 heures. Le diamètre de la source virtuelle est de lordre de 15 µm[19].

Canons à émission de champ

Le principe dun canon à émission de champ est dutiliser une cathode métallique en forme de pointe très fine et dappliquer une tension de lordre de 2 000 à 7 000 volts entre la pointe et lanode. On produit ainsi, par « effet de pointe », un champ électrique très intense, de lordre de 107 V⋅cm-1, à lextrémité de la cathode. Les électrons sont alors extraits de la pointe par effet tunnel. Il existe deux types de canons à émission de champ (FEG en anglais pour Field Emission Gun:

  • lémission de champ à froid (CFE en anglais). La pointe reste à température ambiante :
  • lémission de champ assistée thermiquement (TFE en anglais). La pointe est alors portée à une température typique de 1 800 K.

Le gros avantage des canons à émission de champ est une brillance théorique qui peut être cent fois plus importante que celle des cathodes LaB6. Le deuxième type de canon (assisté thermiquement) est de plus en plus utilisé, car il permet pour un sacrifice en brillance très modeste de mieux maîtriser la stabilité de lémission. Le courant disponible est également plus élevé. Avec un canon à émission de champ froid, le courant disponible sur léchantillon nest en effet jamais supérieur à 1 nA, alors quavec lassistance thermique, il peut approcher les 100 nA[20].

Une autre grosse différence entre les canons à émission de champ et les canons thermoïoniques est que la source virtuelle est beaucoup plus petite. Cela provient du fait que toutes les trajectoires sont normales à la surface de la pointe, qui est une sphère denviron 1 µm. Les trajectoires semblent ainsi provenir dun point. Cest ainsi que lon obtient des brillances très élevées : 108 A⋅cm-2⋅sr-1 pour les cathodes froides et 107 A⋅cm-2⋅sr-1 pour les cathodes à émission de champ chauffées. Sur léchantillon, la brillance est toujours dégradée[19].

Le très petit diamètre de la source virtuelle nécessite moins détages de réduction, mais un inconvénient est que la source, moins réduite est plus sensible aux vibrations.

Comparaison des différentes propriétés des canons à électrons, à 20 kV[21]
Émission thermoïonique Émission de champ
Matériaux Tungstène LaB6 S-FEG C-FEG
Brillance (A⋅cm-2⋅sr-1) 105 106 107 108
Température (°C) 1 7002 400 1 500 1 500 ambiante
Diamètre de la pointe (nm) 50 000 10 000 100200 2030
Taille de la source (Nanomètre) 30 000100 000 5 00050 000 1530 < 5
Courant démission (µA) 100200 50 50 10
Durée de vie (heure) 40100 2001 000 > 1 000 > 1 000
Vide minimal (Pa) 10-2 10-4 10-6 10-8
Stabilité à court terme (%RMS) <1 <1 <1 46

Colonne optique

Colonnes pour canon à émission thermoïoniques

La fonction de la colonne électronique est de produire à la surface de léchantillon une image de la source virtuelle suffisamment réduite pour que la tache électronique (le spot) obtenue soit assez fine pour analyser léchantillon avec la résolution requise, dans la gamme des 0,5 à 20 nm. La colonne doit également contenir des moyens pour balayer le faisceau.

Comme les sources des canons à émission thermoïonique ont un diamètre typique de µm, la réduction de la colonne électronique doit être dau moins 20 000, produite par trois étages comportant chacun une lentille magnétique (Voir figure ci-dessus).

La colonne électronique doit également comporter un diaphragme de limitation douverture, car les lentilles magnétiques ne doivent être utilisées que dans leur partie centrale pour avoir des aberrations plus petites que la résolution recherchée. Lastigmatisme résultant, par exemple de défaut de sphéricité des lentilles peut être compensé par un « stigmateur », mais laberration sphérique et laberration chromatique ne peuvent être corrigées.

Le balayage de la tache électronique sur léchantillon résulte de champs magnétiques selon les deux directions transverses, X et Y, produits par des bobines de déflexion qui sont parcourues par des courants électriques. Ces bobines de déflexion sont situées juste avant la dernière lentille[19].

Colonnes pour canon à émission de champ

Colonne Gemini de Zeiss. Cette colonne, équipée dune source à émission de champ, dédiée aux applications basse énergie, contient un détecteur délectrons secondaire dans la colonne.

Les colonnes électroniques montées avec des canons à émission de champ peuvent avoir une réduction de la source bien inférieure à celle des colonnes conventionnelles[19].

La colonne Gemini représentée sur la figure ci-contre comporte deux lentilles magnétiques, mais cette paire de lentille, montées en doublet, ne constitue en fait quun seul étage de réduction. La structure en doublet permet déviter de limiter le nombre de cross-over, cest-à-dire, dimages intermédiaires de la source, comme sur les colonnes conventionnelles, car ces cross-over sont générateurs de dispersion en énergie et donc daberration chromatique.

La forte brillance des sources à émission de champ les rend particulièrement propices aux applications à basse énergie dimpact, cest-à-dire inférieure à 6 keV. car la brillance étant proportionnelle à lénergie daccélération, lobtention dun courant électronique primaire confortable ne saurait tolérer le cumul de deux handicaps, celui dune source médiocre et dune faible énergie daccélération.

Plusieurs raisons peuvent pousser à rechercher les faibles énergies dimpact :

  • lorsque limage résulte dun mode de détection qui met en cause lensemble de la poire de pénétration des électrons dans la matière, comme cest le cas, par exemple, pour lutilisation en microanalyse par rayons X : plus lénergie dimpact est élevée, et plus la poire est évasée ;
  • pour lanalyse dans les isolants dans le cas une métallisation superficielle de léchantillon introduirait un artefact de mesure.

Il existe un niveau dénergie, situé aux environs de 1 500 eV dans le cas de la silice, pour lequel il y a autant délectrons secondaires émis que délectrons primaires incidents.

Pour travailler à basse énergie, par exemple à 1 500 eV ou à quelques centaines deV, il est intéressant de véhiculer les électrons à énergie plus importante dans la colonne, et de les ralentir juste avant léchantillon. Lespace de ralentissement forme alors une lentille électrostatique, cest ce qui est représenté sur la figure de ce paragraphe. Lorsque les électrons restent à énergie constante, les lentilles magnétiques ont des aberrations plus faibles que les lentilles électrostatiques, mais il se trouve que les lentilles comprenant une zone de ralentissement, nécessairement électrostatique, ont toutes les aberrations relatives à louverture du faisceau considérablement réduite[22].

Lorsque lénergie dimpact est faible, et quil y a un champ électrique de ralentissement proche de léchantillon, la mise en place du détecteur délectrons secondaires dans lespace entre la dernière lentille et léchantillon pose de plus en plus de problèmes. Une solution consiste alors à disposer le détecteur à lintérieur de la colonne. En effet, le champ électrique qui ralentit les électrons primaires, accélère les ions secondaires. En anglais, ce type darrangement est connu sous le nom din-lens detector ou Through-The-Lens detector (détecteur TTL). En français, on pourrait dire « détecteur dans la colonne ».

Détecteur délectrons secondaires

Article détaillé : Détecteur Everhart-Thornley.

Le détecteur délectrons secondaires ou détecteur Everhart-Thornley a été développé dans le but daméliorer le système de collection utilisé à lorigine par Vladimir Zworykin et qui était constitué dun écran phosphorescent/photomultiplicateur. En 1960, deux étudiants de Charles Oatley, Thomas Eugene Everhart et RFM Thornley, ont eu lidée dajouter un guide de lumière entre cet écran phosphorescent et ce photomultiplicateur. Ce guide permettait un couplage entre le scintillateur et le photomultiplicateur, ce qui améliorait grandement les performances. Inventé il y a plus dun demi-siècle, ce détecteur est aujourdhui celui le plus fréquemment utilisé.

Un détecteur Everhart-Thornley est composé dun scintillateur qui émet des photons sous limpact délectrons à haute énergie. Ces photons sont collectés par un guide de lumière et transportés vers un photomultiplicateur pour la détection. Le scintillateur est porté à une tension de plusieurs kilovolts afin de communiquer de lénergie aux électrons secondaires détectés - il sagit en fait dun procédé damplification. Pour que ce potentiel ne perturbe pas les électrons incidents, il est nécessaire de disposer une grille, sorte de cage de Faraday, pour blinder le scintillateur. Dans le fonctionnement normal, la grille est polarisée à quelque + 200 volts par rapport à léchantillon de façon à créer à la surface de léchantillon un champ électrique suffisant pour drainer les électrons secondaires, mais assez faible pour ne pas créer daberrations sur le faisceau incident.

La polarisation du scintillateur à une tension élevée et le fort champ électrique qui en résulte est incompatible avec un MEB à faible vide : Il se produirait alors une ionisation de latmosphère de la chambre dobservation consécutive à leffet Paschen.

Détecteur Everhart-Thornley avec une tension positive
Détecteur Everhart-Thornley avec une tension négative

Polarisée à 250 volts par rapport à léchantillon (voir schéma de gauche), la grille attire une grande partie des électrons secondaires émis par léchantillon sous limpact du faisceau délectrons primaire. Cest parce que le champ électrique généré par la cage de Faraday est fortement dissymétrique quon peut obtenir un effet de relief.

Lorsque la grille est polarisée négativement, typiquement à - 50 volts (voir schéma de droite), le détecteur repousse lessentiel des électrons secondaires dont lénergie initiale est souvent inférieure à 10 eV. Le détecteur Everhart-Thornley devient alors un détecteur délectrons rétrodiffusés[23].

Préparation de léchantillon

La qualité des images obtenues en microscopie électronique à balayage dépend grandement de la qualité de léchantillon analysé. Idéalement, celui-ci doit être absolument propre, si possible plat et doit conduire lélectricité afin de pouvoir évacuer les électrons. Il doit également être de dimensions relativement modestes, de lordre de 1 à 2 centimètres. Toutes ces conditions imposent donc un travail préalable de découpe et de polissage. Les échantillons isolants (échantillons biologiques, polymères, etc.) doivent en plus être métallisés, cest-à-dire recouverts dune fine couche de carbone ou dor. Cependant cette couche métallique, du fait de son épaisseur, va empêcher la détection de détails très petits. On peut donc utiliser un faisceau d'électrons de plus basse énergie qui évitera de charger l'échantillon (et donc de perdre de la visibilité), la couche métallique ne sera alors plus nécessaire.

Échantillons métalliques

Échantillons biologiques

Tête de fourmi vue au MEB

Par nature, les échantillons biologiques contiennent de leau et sont plus ou moins mous. Ils nécessitent donc une préparation plus attentive qui vise à les déshydrater sans en détruire la paroi des cellules. De plus, comme tous les échantillons destinés à être observés dans un MEB, ceux-ci doivent être conducteurs. Pour cela, ils doivent donc subir une préparation spécifique en plusieurs étapes.

La première étape est une étape de fixation qui vise à tuer les cellules tout en sefforçant den conserver les structures pour que lon puisse observer léchantillon dans un état aussi proche que possible de létat vivant. La seconde étape consiste à extraire de léchantillon les éléments destinés à lobservation. Il nest pas rare de ne sintéresser quà un organe ou à un élément précis du spéciment, par exemple, la surface dun œil, une élytre, une écaille ou un poil dun insecte. Il faut donc souvent isoler cette partie avant de la préparer pour lobservation. Il existe plusieurs techniques pour extraire ces parties. La plus simple étant une dissection manuelle ou la dissolution des parties molles et chaires.

Une condition nécessaire à tous les échantillons mais plus particulièrement les échantillons biologiques est la propreté. La surface de léchantillon biologique à étudier doit contenir le moins dimpuretés possible, pour permettre une netteté parfaite même avec des grandissements importants. Pour cela, il existe trois principales techniques : le nettoyage manuel, mécanique ou chimique.

Les échantillons doivent être absolument secs et ne comporter aucune trace deau. En effet, la pression dans la chambre dobservation est très faible et les molécules deau contenues dans léchantillon risqueraient de détruire les cellules en sévaporant ou de polluer la chambre dobservation. Il existe également différentes méthodes pour y parvenir suivant la nature de léchantillon biologique : séchage à lair, par contournement du point critique ou par déshydratation chimique.

Une fois nettoyé, séché, rendu conducteur, léchantillon est prêt à être monté sur le porte-objet est placé dans la chambre dobservation.

Différents types dimageries

Un microscope électronique à balayage peut avoir plusieurs modes de fonctionnement suivant les particules analysées.

Imagerie en électrons secondaires

Détecteur(GSE) délectrons secondaires

Dans le mode le plus courant, un détecteur délectrons transcrit le flux délectrons en une luminosité sur un écran de type télévision. En balayant la surface, on relève les variations de contraste qui donnent une image de la surface avec un effet de relief. La couleur (noir et blanc) sur la micrographie obtenue est une reconstruction par un système électronique et na rien à voir avec la couleur de lobjet.

La détection des électrons secondaires est le mode classique dobservation de la morphologie de la surface. Les électrons secondaires captés proviennent dun volume étroit (environ 10 nm). De fait, la zone de réémission fait à peu près le même diamètre que le faisceau. La résolution du microscope est donc le diamètre du faisceau, soit environ 10 nm. Une grille placée devant le détecteur délectrons, polarisée positivement (200-400 V), attire les électrons. De cette manière, la majorité des électrons secondaires sont détectés alors que les électrons rétrodiffusés, qui ont une énergie plus élevée, ne sont quasiment pas déviés par le champ électrique produit par la grille du collecteur. La quantité délectrons secondaires produite ne dépend pas de la nature chimique de léchantillon, mais de langle dincidence du faisceau primaire avec la surface : plus lincidence est rasante, plus le volume excité est grand, donc plus la production délectrons secondaires est importante, d un effet de contraste topographique (une pente apparaît plus « lumineuse » quun plat). Cet effet est renforcé par le fait que le détecteur est situé sur le côté ; les électrons provenant des faces situées « dos » au détecteur sont réfléchis par la surface et arrivent donc en plus petite quantité au détecteur, créant un effet dombre[24].

Imagerie en électrons rétrodiffusés

Détecteur(BSE) délectrons rétrodiffusés

Les électrons rétrodiffusés proviennent dun volume plus important ; le volume démission fait donc plusieurs fois la taille du faisceau. La résolution spatiale du microscope en électrons rétrodiffusés est denviron 100 nm. Les électrons rétrodiffusés traversent une épaisseur importante de matière avant de ressortir (de lordre de 450 nm). La quantité délectrons capturés par les atomes rencontrés et donc la quantité délectrons rétrodiffusés qui ressortent dépend de la nature chimique des couches traversées. Le taux démission électronique augmente avec le numéro atomique. On obtient donc un contraste chimique, les zones contenant des atomes légers (Z faible) apparaissant en plus sombre. En revanche, le taux démission dépend peu du relief, limage apparaît donc « plate »[25].

Les détecteurs délectrons rétrodiffusés sont placés au-dessus de léchantillon, dans laxe du faisceau primaire, ce qui permet de récupérer le maximum de signal.

Imagerie en diffraction délectrons rétrodiffusés

Pour des articles détaillés, voir Diffraction délectrons rétrodiffusés et Théorie de la diffraction sur un cristal
Principe de lEBSD

Comme toute particule élémentaire, les électrons ont un comportement corpusculaire et ondulatoire. Ce mode dimagerie en diffraction délectrons rétrodiffusés (plus connu sous le nom de EBSD pour Electron BackScatter Diffraction en anglais) utilise la propriété ondulatoire des électrons et leur capacité à diffracter sur un réseau cristallographique. Elle est particulièrement efficace pour caractériser la microstructure des matériaux polycristallins. Elle permet de déterminer lorientation des différents grains dans un matériau polycristallin et lidentification des phases dune cristallite dont la composition a préalablement été faite par spectrométrie X.

Couplé à un capteur CCD, le détecteur EBSD est composé dun écran phosphorescent qui se trouve directement dans la chambre danalyse du microscope. Léchantillon est incliné en direction du détecteur et langle par rapport au faisceau délectrons primaires est de lordre de 70 °. Lorsque les électrons viennent frapper la surface de léchantillon, ils la pénètrent sur une certaine profondeur et sont diffractés par les plans cristallographiques selon un angle θB dont la valeur est donnée par la loi de Bragg :

Cliché de diffraction obtenu par EBSD
2 d_{hkl} \sin \theta_B = n \cdot \lambda

dhkl représente la distance interréticulaire, λ la longueur donde et le nombre entier n lordre de diffraction.

La diffraction se fait sur 360 ° et chaque plan diffractant crée un « cône de diffraction » dont le sommet se situe au point dimpact du faisceau délectrons primaires. Il existe donc autant de cônes de diffraction que de plans diffractants. Lespacement entre ces différents cônes est, par lintermédiaire de la loi de Bragg, relié à la distance entre les plans cristallins.

Linclinaison de léchantillon et la position de lécran phosphorescent sont telles que ces cônes viennent frapper lécran. Les électrons font scintiller lécran phosphorescent et peuvent être détectés par la caméra CCD. Sur lécran, ces portions de cônes tronqués apparaissent sous la forme de lignes. Le cliché de diffraction que lon obtient est une superposition de bandes sombres alternées avec des bandes de plus forte intensité que lon appelle lignes de Kikuchi. Ces lignes, leurs divers points dintersection et leurs espacements, peuvent être, en connaissant la distance de lécran à léchantillon, convertis en angles et lon peut ainsi déterminer les paramètres de maille.

Avec cette méthode et du fait de la grande inclinaison de léchantillon, la résolution spatiale est très asymétrique : de lordre de 1 µm latéralement mais de lordre de 50 à 70 µm longitudinalement[26].

Imagerie en courant déchantillon

Principe du courant déchantillon

Le principe de limagerie en courant déchantillon (en anglais EBIC pour Electron Beam Induced Current ou Courant Induit par un Faisceau Électronique) est différent des précédents modes de fonctionnement car il nest pas basé sur une analyse des particules éventuellement réémises par la matière mais sur une mesure du courant transmis par léchantillon. Lorsquun échantillon est bombardé par un certain flux délectrons incidents, environ 50 % de ces éléments sont réémis sous forme délectrons rétrodiffusés et 10 % sous forme délectrons secondaires. Le reste du flux délectrons se propage à travers léchantillon jusquà la Terre. En isolant léchantillonn on peut canaliser ce courant et en lamplifiant, on peut lutiliser pour créer une image de la structure de léchantillon : cest le pricipe de limagerie en courant déchantillon.

Courant déchantillon dune jonction P-N

Le courant induit au sein de léchantillon est particulièrement sensible à un éventuel champ électrique. La technique par courant déchantillon est principalement utilisée pour représenter des régions le potentiel électrique varie. La différence de dopage au sein dune jonction p-n entre la zone dopée n et la zone dopée p induit une polarisation. Cette technique est particulièrement utilisée pour étudier les jonctions p-n des semi-conducteurs la conductivité électrique varie en fonction du dopage. Lorsque le faisceau délectrons se situe sur la zone dopée n, le courant transmis est faible alors que lorsquil se trouve sur la zone dopée p, les électrons se propagent plus facilement et la zone apparaît en plus clair.

En dehors de cet exemple des jonctions p-n, limagerie en courant délectrons est particulièrement adaptée pour repérer des défauts (par exemple un défaut ponctuel) dun réseau cristallin qui apparaissent alors sous la forme de points ou de lignes noirs, une hétérogénéité de dopage[27].

Imagerie chimique élémentaire par spectrométrie de rayons X

Lénergie des rayons X émis lors de la désexcitation des atomes dépend de leur nature chimique (ce sont les raies caractéristiques). En analysant le spectre des rayons X, on peut avoir une analyse élémentaire, cest-à-dire savoir quels types datomes sont présents. Le faisceau balayant lécran, on peut même dresser une cartographie chimique, avec toutefois une résolution très inférieure à limage en électrons secondaires (de lordre de 3 μm).

Lanalyse peut se faire par dispersion de longueur donde (WDS, wavelength dispersive spectroscopy), cest le principe de la microsonde de Castaing inventée en 1951 par Raymond Castaing, ou par sélection dénergie (EDS, energy dispersive spectroscopy). La technique utilisant les longueurs donde est plus précise et permet des analyses quantitatives alors que celle utilisant lénergie est plus rapide et moins coûteuse.

En dispersion dénergie la détection des photons X est réalisée par un détecteur constitué dune diode de cristal de silicium dopé en lithium en surface ou d'un critsal de Germanium.

Ce cristal est maintenu à la température de lazote liquide pour minimiser le bruit électronique, et ainsi améliorer la résolution en énergie et donc la résolution spectrale. Le détecteur est protégé par une fenêtre en béryllium pour éviter son givrage lors dun contact avec lair ambiant[28].

Mesure sous vide partiel, microscope environnemental (ESEM)

Si un échantillon est peu conducteur (par exemple le verre ou les plastiques), des électrons saccumulent sur la surface et ne sont pas évacués ; cela provoque une surbrillance qui gêne lobservation. On dit alors que léchantillon charge. Il peut être alors intéressant de fonctionner avec un vide partiel, cest-à-dire une pression de quelques Pa à quelques milliers de Pa[29] (contre 10-3 à 10-4 Pa en conditions habituelles), avec une intensité de faisceau moins forte. Les électrons accumulés sur léchantillon sont neutralisés par les charges positives de gaz (azote principalement) engendrés par le faisceau incident. Lobservation est alors possible par le détecteur délectrons rétrodiffusés qui reste fonctionnel dans ce mode de pression contrôlée, contrairement au détecteur d'électrons secondaires du type Everheart-Thornley. Le signal provenant des électrons secondaires est formé grâce à des procédés propres à chaque constructeur de microscope[30].

Lanalyse X dans ce mode reste possible.

Depuis les années 1980, le microscope environnemental connu aussi par l'acronyme ESEM (environmental scanning electron microscope) est caractérisé par un vide de la chambre objet de plusieurs kiloPascals, ce qui permet l'observation d'échantillons hydratés l'eau est maintenue en phase liquide au-dessus de 0 °C.[31]


Applications

Microélectronique, technologie des semiconducteurs et microfabrication

Images de MEB à faible énergie (1 kV: Cette photo de 1995 montre une ligne de photorésine de 120 nm de large et 1 µm de haut. On voit, sur les flancs de la photorésine, l'effet des ondes stationnaires du rayonnement UV utilisé pour lexposition de la résine. Le MEB est un DSM 982 de chez Zeiss, équipé dune colonne Gemini

La mise sur le marché microsopes électroniques à balayage est à peu près contemporain de lenvol de lindustrie des semi-conducteurs. Cest dans ce domaine dactivité que le MEB sest répandu le plus massivement, étant reconnu comme un outil précieux dans la mise au point des procédés de fabrication des dispositifs dont lélément caractéristique, la grille de transistor est passée dune largeur typique de quelques micromètres à la fin des années 1960 à moins de 100 nanomètres au XXIe siècle. Non seulement le MEB a permis de voir au-delà des limites du microscope optique, mais la vision en relief sest avérée très pratique pour laide à la microfabrication il est souvent important de contrôler la verticalité des couches déposées ou des couches gravées. Voir, par exemple, sur la figure ci-contre, une image de MEB dun motif de photorésine gravée.

Très populaire dans les laboratoires de recherche et développement, le MEB est également devenu un outil très répandu dans les unités de production fabrication, en tant quoutil de contrôle industriel. La chambre danalyse doit alors pouvoir accepter des tranches de silicium ((en) wafer) entières, cest-à-dire dont le diamètre est, en 2006, de 200 mm ou 300 mm. On a même donné un nom particulier aux appareils qui effectue du contrôle dimensionnel, cest-à-dire, qui vérifient la largeur dune ligne. En anglais, on les appelle des CD-SEM. Ces appareils sont entièrement automatisés : ils ne produisent pas dimages à proprement parler : le calculateur de contrôle amène un motif de test exactement sur laxe du faisceau qui est alors balayé dans une seule direction. Le signal du détecteur délectrons secondaires est enregistré et analysé pour générérer la largeur mesurée. Si celle-ci est en-dehors du gabarit donné, lalerte est donnée, et la tranche de silicium, considérée comme mauvaise peut rejetée.

Une autre application des MEB dans les unités de production de semiconducteurs est la caractérisation de microparticules qui contaminent la surface des tranches : le but final est didentifier la cause de la contamination afin de la supprimer. La particule dont la taille peut varier de 100 nm à 1 µm a été détectée par une machine dinspection spécialisée qui communique les coordonnées de la particules au MEB danalyse. Celui-ci est alors utilisé à la fois dans le mode imagerie, pour produire une image de la particule à fort grosissement et en microsonde de Castaing, ce qui implique que le MEB soit équipé dun spectromètre X. Limage peut aider à lidentification de la particule, mais cest surtout la caractérisation chimique résultant de lanalyse en longueur donde des rayons X qui donnera une piste permettant de remonter à la cause de la contamination.

La sonde électronique dun MEB peut être utilisée non pas pour observer, mais pour écrire et fabriquer. Il sagit alors de lithographie à faisceau délectrons.

Science des matériaux

Les MEB utilisés en métallographie sont généralement équipés dun spectromètre X qui permet leur utilisation en microsonde de Castaing. Ce sont des outils très communément répandus pour la caractérisation microstructurale des matériaux qui permettent dobtenir à la fois des renseignements relatifs à la morphologie et à la répartition des constituants, et des informations cristallographiques et compositionnelles.

Pour obtenir certaines figures de diffraction (peudo-Kikuchi, Kossel), on est amené à pervertir le système de balayage de linstrument : au lieu de générer un balayage en mode rectangulaire, on excite des bobines de déflexion de façon à faire pivoter le faisceau de plusieurs degrés autour dun point fixe de léchantillon. Limage générée est alors une figure de diffraction correspondant à une zone de léchantillon de quelques micromètres.

Biologie

Au contraire des microscopes électroniques en transmission, le MEB se prête peu à létude des cellules. Par contre, la vision en relief du MEB se prête bien à lobservation des micro-organismes, pas forcément pour le pouvoir de résolution spatial, mais pour la profondeur de champ nettement plus élevée que celle des microscopes optiques.

Divers

Le microscope électronique à balayage est lun des appareils fondamentaux pour les recherches tribologiques ; voir à ce sujet le wikilivre de tribologie et plus spécialement le chapitre consacré à la genèse des frottements.

Marché

Le marché des microscopes (tous types confondus) est estimé à 811 millions de dollars US, dont environ 60 % sont générés par les miscroscopes optiques[2]. Avec 26 %, les microscopes électroniques représentent la deuxième part de ce marché, estimée en 1999 par Global Information Inc. à environ 222 millions de dollars[32]. Global Information Inc. estime également que la part des microscopes optiques ira en diminuant, celle des microscopes confocales restera stable tandis que le marché des microscopes élecroniques se développera et était estimé à 747 millions de dollars en 2005[2].

Le prix moyen dun MEB est estimé à 200 000 $ mais peut monter jusquà un million de dollars pour les appareils les plus avancés. Cependant, de nouveaux microscopes, qualifiés de microscope à bas prix (low-cost miscroscopes) ont été récemment proposés sur le marché, pour un tiers du prix moyen dun MEB[33].

Notes et références

  1. (en)Electron microprobe analysis: Merging of discoveries in physics, chemistry and microscopy, p. 19, département de géologie, université du Wisconsin-Madison.
  2. a, b et c (en)Hitachi breaks SEM resolution barrier, www.labtechnologist.com, 10 mars 2005.
  3. Principes de fonctionnement du microscope photonique, Centre national de la recherche scientifique
  4. (Joseph Goldstein 1992, p. 21-24)
  5. (de) H. Busch, « Berechnung der Bahn von Kathodenstrahlen im axialsymmetrischen elektromagnetischen Felde », dans Annalen der Physik, vol386, no 25, 1926, p. 973-993 [lien DOI] , article disponible sur Gallica.
  6. (de) M. Knoll et E. Ruska, « Das Elektronenmikroskop », dans Zeitschrift für Physik A Hadrons and Nuclei, vol78, 1932, p. 318-339 [lien DOI] .
  7. (de)M. Knoll, Aufladepotentiel und Sekundäremission elektronenbestrahlter Körper, Zeitschrift fur technische Physik 16, 467-475 (1935).
  8. (de)M. von Ardenne, Das Elektronen-Rastermikroskop, Zeitschrift für Physik A Hadrons and Nuclei, 108(9-10):553-572, 1938.
  9. (en)Ernst Ruska, The Early Development of Electron Lenses and Electron Microscopy (traduction de Mulvey T), Hirzel, Stuttgart, 1980, ISBN 3777603643
  10. (en) K.C.A. Smith, Charles Oatley: Pioneer of scanning electron microscopy, EMAG '97 Proceedings, IOP Publishing Lt, 1997
  11. (Joseph Goldstein 1992, p. 69)
  12. (Joseph Goldstein 1992, p. 106-115)
  13. (Joseph Goldstein 1992, p. 90-104)
  14. (Joseph Goldstein 1992, p. 142)
  15. (Joseph Goldstein 1992, p. 116-141)
  16. (Joseph Goldstein 1992, p. 25-42)
  17. (Joseph Goldstein 1992, p. 29)
  18. (Joseph Goldstein 1992, p. 30)
  19. a, b, c et d Michael T. Postek, The Scanning Electron Microscope in Handbook of Charged Particle Optics, CRC Press, Université du Maryland, 1997
  20. Selon la brochure New-Technology Scanning Electron Microscope DSM 982 Gemini de la société Karl Zeiss, 1998
  21. Postek, p. 366. Il semble que dans ce tableau Comparison of Pertinent Electron Source Characteristics toutes les brillances soient trop fortes dun facteur 10. Dans le tableau ci-dessous, la ligne brillance a été corrigée de ce facteur 10
  22. (en)Gemini optical column
  23. (Joseph Goldstein 1992, p. 177-180)
  24. (Joseph Goldstein 1992, p. 198-214)
  25. (Joseph Goldstein 1992, p. 191-194)
  26. (en) ELECTRON BACKSCATTERED DIFFRACTION sur le site de luniversité de Strathclyde
  27. (en)Electron Beam-Induced Current (EBIC) Analysis, semiconfareast.com
  28. (Joseph Goldstein 1992, p. 273-340 et 525-546)
  29. Le microscope électronique à balayage et à vide partiel sur le site de L'Université du Québec à Montréal
  30. Le microscope électronique environnemental sur le site de lUniversité de Provence
  31. Athene M. McDonald, Environmental Scanning Electron Microscopy - ESEM, Materials World, Vol. 6 no. 7, pp. 399-401, July 1998.
  32. (en)MEMS technology magnifies opportunities for low-cost SEM, Small Times, 6 avril 2004.
  33. (en)FEI launches worlds smallest commercially available SEM, Small Times, 25 juin 2007.

Bibliographie

Liens externes

Dautres articles en synthèse vocale

Sur les autres projets Wikimedia :

Sur le principe du microscope électronique à balayage 
Sur lhistoire du microscope électronique à balayage
Sur la préparation des échantillons
Sur la diffraction délectrons rétrodiffusés
Sur limagerie par courant déchantillon
Galerie dimages
Associations (formations et ressources)
Bon article
La version du 16 octobre 2007 de cet article a été reconnue comme « bon article » (comparer avec la version actuelle).
Pour toute information complémentaire, consulter sa page de discussion et le vote layant promu.
  • Portail de la physique Portail de la physique
  • Portail de la chimie Portail de la chimie
Ce document provient de « Microscopie %C3%A9lectronique %C3%A0 balayage ».

Wikimedia Foundation. 2010.

Contenu soumis à la licence CC-BY-SA. Source : Article Scanning Electron Microscopy de Wikipédia en français (auteurs)

Игры ⚽ Нужно решить контрольную?

Regardez d'autres dictionnaires:

Share the article and excerpts

Direct link
https://fr-academic.com/dic.nsf/frwiki/1517108 Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”