Tétrafluorure de silicium

Tétrafluorure de silicium
Tétrafluorure de silicium
Silicon-tetrafluoride-2D-dimensions.pngSilicon-tetrafluoride-3D-vdW.png
Structure du tétrafluorure de silicium
Général
Synonymes tétrafluorosilane
No CAS 7783-61-1
No EINECS 232-015-5
PubChem 24556
SMILES
InChI
Apparence gaz incolore, d'odeur acre[1].
Propriétés chimiques
Formule brute F4SiSiF4
Masse molaire[2] 104,0791 ± 0,0003 g·mol-1
F 73,02 %, Si 26,98 %,
Propriétés physiques
T° fusion -90 °C
T° ébullition -86 °C
Solubilité dans l'eau : réaction[1]
Masse volumique 1 660 kg·m-3 à -95 °C
4,681 kg·m-3 à °C (gaz)
Point critique 37,2 bar, -14,15 °C[3]
Propriétés électroniques
1re énergie d'ionisation 15,24 ± 0,14 eV (gaz)[4]
Cristallographie
symbole de Pearson cI10\, [5]
Classe cristalline ou groupe d’espace I43m (n°217)[5]
Précautions
Directive 67/548/EEC[6]
Toxique
T
Corrosif
C
Phrases R : 23, 35,
Phrases S : 9, 26, 36, 45,
Transport[6]
-
   1859   
NFPA 704

Symbole NFPA 704

SIMDUT[7]
A : Gaz compriméD1A : Matière très toxique ayant des effets immédiats gravesE : Matière corrosive
A, D1A, E,
SGH[6]
SGH04 : GazSGH05 : CorrosifSGH06 : Toxique
Danger
H280, H314, H330, EUH071, P260, P280, P303, P304, P305, P315, P338, P340, P351, P353, P361, P403, P405,
Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire.

Le tétrafluorure de silicium, également appelé tétrafluorosilane, est un composé du silicium de formule SiF4 qui se présente sous forme d'un gaz incolore dont la plage d'existence à l'état liquide est singulièrement étroite : entre -90 °C et -86 °C.

Utilisation

En microélectronique, le tétrafluorure de silicium est utilisé dans l'implantation ionique, et, en conjonction avec le silane (SiH4), pour le dépôt de silice fluorée par PECVD[8].

Références

  1. a et b TETRAFLUORURE DE SILICIUM, fiche de sécurité du Programme International sur la Sécurité des Substances Chimiques, consultée le 9 mai 2009
  2. Masse molaire calculée d’après Atomic weights of the elements 2007 sur www.chem.qmul.ac.uk.
  3. Properties of Various Gases sur flexwareinc.com. Consulté le 12 avril 2010
  4. (en) David R. Lide, Handbook of chemistry and physics, CRC, 2008, 89e éd., 2736 p. (ISBN 978-1-4200-6679-1), p. 10-205 
  5. a et b The SiF4 Structure sur http://cst-www.nrl.navy.mil/. Consulté le 17 décembre 2009
  6. a, b et c Entrée de « Silicon tetrafluoride » dans la base de données de produits chimiques GESTIS de la IFA (organisme allemand responsable de la sécurité et de la santé au travail) (allemand, anglais) (JavaScript nécessaire)
  7. « Tétrafluorure de silicium » dans la base de données de produits chimiques Reptox de la CSST (organisme québécois responsable de la sécurité et de la santé au travail), consulté le 25 avril 2009
  8. Tétrafluorosilane, SiF4, Propriétés physiques des gaz, sécurité, FDS, compatibilité avec les matériaux, équilibre gaz-liquide, enthalpie, masse volumique, viscosité, inflammabilité, propriétés de transport, air liquide, consulté le 7 septembre 2009

Wikimedia Foundation. 2010.

Contenu soumis à la licence CC-BY-SA. Source : Article Tétrafluorure de silicium de Wikipédia en français (auteurs)

Игры ⚽ Нужен реферат?

Regardez d'autres dictionnaires:

  • 7783-61-1 — Tétrafluorure de silicium Tétrafluorure de silicium …   Wikipédia en Français

  • SiF4 — Tétrafluorure de silicium Tétrafluorure de silicium …   Wikipédia en Français

  • Tétrafluorosilane — Tétrafluorure de silicium Tétrafluorure de silicium …   Wikipédia en Français

  • Gravure Ionique Réactive — La gravure ionique réactive ou gravure par ions réactifs très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi conducteurs. Il s agit d une technique similaire, dans la mise …   Wikipédia en Français

  • Gravure ionique reactive — Gravure ionique réactive La gravure ionique réactive ou gravure par ions réactifs très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi conducteurs. Il s agit d une… …   Wikipédia en Français

  • Gravure ionique réactive — La gravure ionique réactive ou gravure par ions réactifs très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi conducteurs. Il s agit d une technique similaire, dans la mise …   Wikipédia en Français

  • Gravure par ions réactifs — Gravure ionique réactive La gravure ionique réactive ou gravure par ions réactifs très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi conducteurs. Il s agit d une… …   Wikipédia en Français

  • Reactive-ion etching — Gravure ionique réactive La gravure ionique réactive ou gravure par ions réactifs très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi conducteurs. Il s agit d une… …   Wikipédia en Français

  • Reactive Ion Etching — Gravure ionique réactive La gravure ionique réactive ou gravure par ions réactifs très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi conducteurs. Il s agit d une… …   Wikipédia en Français

  • Liste des numéros ONU — Cette liste répertorie les numéros ONU utilisés dans le transport de matières dangereuses. Sommaire 1 De 0 à 100 2 De 100 à 200 3 De 200 à 300 4 De 300 à 400 …   Wikipédia en Français

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”