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Triméthylgallium
Triméthylgallium 
Général No CAS SMILES InChI Apparence liquide incolore Propriétés chimiques Formule brute C3H9Ga [Isomères] Masse molaire 114,827 g∙mol-1
C 31,38 %, H 7,9 %, Ga 60,72 %,Propriétés physiques T° fusion -15 °C T° ébullition 55,7 °C Solubilité réagit violemment avec l'eau Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire. 
Triméthylgallium (TMG), Ga(CH3)3, est la source organométallique préférée de gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE) composé semi-conducteur contenant du gallium, comme GaAs, GaN, GaP, GaSb, GaInAs, InGaN, AlInGaP, GaInP, AlInGaNP etc.
Le TMG est connu pour être pyrophorique, c.à.d. qu'il prend feu spontanément au contact de l'air. Même les solutions d'hydrocarbure de TMG, une fois suffisamment saturées, sont connues pour prendre feu spontanément au contact de l'air.
Le TMG est connu pour réagir violemment avec l'eau et d'autres composés capables de fournir un ion hydrogène libre actif (c'est-à-dire un proton). Par conséquent, le TMG doit être manipulé avec le soin et l'attention nécessaires, par exemple, entreposé dans un endroit frais et sec entre 0 °C et 25 °C, sous atmosphère inerte[1].
Sommaire
Utilisation
Dans la fabrication de semi-conducteurs, le triméthylgallium est utilisé en épitaxie en phase gazeuse dans le dépôt de couches de GaAs ou de GaN épitaxiées[2].
Notes et références de l'article
- ↑ Journal of Crystal Growth (2004); DOI:doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007
- ↑ [1], air liquide, consulté le 7 septembre 2009
Voir aussi
Articles connexes
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