- Arséniure d'indium
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Arséniure d'indium 
__ In3+ __ As3− Général Nom IUPAC Arséniure d'indium No CAS Apparence Solide gris Propriétés chimiques Formule brute AsIn [Isomères] Masse molaire[1] 189,74 ± 0,003 g·mol-1
As 39,49 %, In 60,51 %,Propriétés physiques T° fusion 936 à 942 °C Solubilité insoluble dans l'eau Masse volumique 5.68 Propriétés électroniques Bande interdite 0,4 eV Précautions Directive 67/548/EEC 
T
NPhrases R : 23/25, 50/53, Phrases S : 1/2, 20/21, 28, 45, 60, 61, Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire. L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium.
Il possède des propriétés proches de celles de l'arséniure de gallium (GaAs) en microélectronique.
Il est toxique et dangereux pour l'environnement.
Cristallographie
Comme l'arséniure de gallium, l'arséniure d'indium a une structure cristallographique de type « blende ».
Notes et références
- Masse molaire calculée d’après Atomic weights of the elements 2007 sur www.chem.qmul.ac.uk.
Catégories :- Composé de l'arsenic
- Composé de l'indium
- Produit chimique toxique
- Produit chimique dangereux pour l'environnement
- Matériau semi-conducteur
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