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Arséniure d'indium
Arséniure d'indium Général Nom IUPAC Arséniure d'indium No CAS Apparence Solide gris Propriétés chimiques Formule brute AsIn [Isomères] Masse molaire 189,74 g∙mol-1
As 39,49 %, In 60,51 %,Propriétés physiques T° fusion 936 à 942 °C Solubilité insoluble dans l'eau Masse volumique 5.68 Propriétés électroniques Bande interdite 0,4 eV Précautions Directive 67/548/EEC
T
NPhrases R : 23/25, 50/53, Phrases S : 1/2, 20/21, 28, 45, 60, 61, Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire. L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium.
Il possède des propriétés proches de celles de l'arséniure de gallium (GaAs) en microélectronique.
Il est toxique et dangereux pour l'environnement.
Cristallographie
Comme l'arséniure de gallium, l'arséniure d'indium a une structure cristallographique de type « blende ».
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