- Tellurure de bismuth(III)
-
Tellurure de bismuth(III) 
Structure cristalline du tellurure de bismuth
(les atomes de bismuth sont en violet)Général No CAS No EINECS PubChem (Bi4Te6) SMILES InChI Apparence poudre grise Propriétés chimiques Formule brute Bi2Te3 [Isomères] Masse molaire[1] 800,76 ± 0,09 g·mol-1
Bi 52,2 %, Te 47,81 %,Propriétés physiques T° fusion 573 °C Masse volumique 7,642 g·cm-3 Précautions SGH[2] 
AttentionUnités du SI & CNTP, sauf indication contraire. Le tellurure de bismuth(III), ou plus simplement tellurure de bismuth, est un composé chimique de formule Bi2Te3, existant également sous forme d'anions Bi4Te6- dans des alliages tels que le CsBi4Te6[3],[4],[5].
Il s'agit d'une poudre grise cristallisée semiconductrice qui présente un fort effet de refroidissement thermoélectrique (effet Peltier).
Les cristaux sont aisément clivables le long de l'axe trigonal car les atomes de tellure ne sont maintenus ensemble que par des liaisons de van der Waals, de sorte que les applications à base de tellurure de bismuth nécessitent l'emploi de matériaux multicristallins. De plus, le coefficient Seebeck du Bi2Te3 devient négligeable à température ambiante, de sorte que les matériaux utilisés pour la production d'électricité à température ambiante doivent être des alliages de bismuth, d'antimoine, de tellure et de sélénium.
Notes et références
- Masse molaire calculée d’après Atomic weights of the elements 2007 sur www.chem.qmul.ac.uk.
- SIGMA-ALDRICH
- (en) Duck-Young Chung, Tim Hogan, Paul Brazis, Melissa Rocci-Lane, Carl Kannewurf, Marina Bastea, Ctirad Uher et Mercouri G. Kanatzidis, « CsBi4Te6: A High-Performance Thermoelectric Material for Low-Temperature Applications », dans Science, vol. 287, no 5455, 11 février 2000, p. 1024-1027 (ISSN 1095-9203) [texte intégral (page consultée le 27 juin 2011)] DOI:10.1126/science.287.5455.1024
- (en) P. Larson, S. D. Mahanti, D.-Y. Chung et M. G. Kanatzidis, « Electronic structure of CsBi4Te6: A high-performance thermoelectric at low temperatures », dans Physical Review B, vol. 65, no 4, 2002, p. 045205-045209 [texte intégral (page consultée le 27 juin 2011)] DOI:10.1103/PhysRevB.65.045205
- (en) W. Luo, J. Souza de Almeida, J.M. Osorio-Guillen et R. Ahuja, « Electronic structure of a thermoelectric material: CsBi4Te6 », dans Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 69, no 9, septembre 2008, p. 2274-2276 [texte intégral (page consultée le 27 juin 2011)] DOI:10.1016/j.jpcs.2008.04.010
Catégories :- Composé du bismuth
- Composé du tellure
- Matériau semi-conducteur
- Tellurure
Wikimedia Foundation. 2010.
