- Technologie CMOS
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Complementary metal oxide semi-conductor
Le terme CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) désigne une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, l'ensemble des composants fabriqués selon cette technologie. À l'instar de la famille TTL, ces composants sont en majeure partie des portes logiques (NAND, OR, etc.).
Dans ces circuits, un étage de sortie est composé d'un ensemble de transistors à effet de champ N et P (MOSFET) placés de manière symétrique et réalisant chacun la même fonction. Du fait de leur caractéristique de fonctionnement inversée, un transistor est passant alors que l'autre est bloquant[1] (ils sont donc complémentaires, d'où l'appellation complementary).
Sommaire
Technologie de fabrication de composant logique
schéma d'un inverseur CMOS
Pour expliquer le fonctionnement, on peut prendre par exemple le circuit le plus simple existant, l'inverseur CMOS (fonction NON), composé de deux transistors, un N et un P. La table de vérité de l'inverseur est la suivante :
Inverseur Entrée Sortie 0 1 1 0 Si on applique à l'entrée un niveau haut, le transistor N est passant et le P est bloqué. On place ainsi la sortie au potentiel Vss, soit à l'état bas. Inversement, quand on met l'entrée à l'état bas, le transistor P est passant et le N est bloqué. La sortie est donc à l'état haut. On a donc bien réalisé une fonction inversion.
En fonctionnement normal, il n'y aucun chemin entre Vdd (l'alimentation positive) et Vss (la masse) ; la consommation est donc nulle en régime établi. Cependant, durant les transitions entre états (passage du niveau haut au niveau bas et inversement), les deux transistors sont simultanément conducteurs pendant un court laps de temps, ce qui entraîne une consommation d'énergie. C'est pour cela que plus la fréquence de l'horloge d'un circuit intégré CMOS est élevée, plus ce circuit consomme d'énergie. De la même manière, à une fréquence donnée, plus un circuit intégré CMOS comporte de transistors, plus il consomme d'énergie.
On réalise de la même manière toutes les portes : ET avec deux P en parallèle et deux N en série suivis d'un inverseur, OU avec deux P en série et deux N en parallèle suivis d'un inverseur, etc.
Circuit spécialisé
Par extension, le terme CMOS est aussi employé pour désigner un circuit spécialisé présent dans les micro-ordinateurs. Ce dernier contient une petite mémoire ainsi qu'une horloge maintenues en fonctionnement permanent grâce à une pile ou à un accumulateur (rechargé automatiquement lorsque l'alimentation est en service). La technologie CMOS est ici privilégiée car, grâce à sa consommation extrêmement réduite (de l'ordre de 10 µA), elle permet de longues durées d'interruption de l'alimentation principale. La mémoire contient quelques dizaines d'octets, utilisés pour stocker des informations décrivant la configuration de l'ordinateur (détail des disques durs…), des données nécessaires au fonctionnement de son BIOS et au système d'exploitation, ainsi que l'heure et la date. Ce composant est une cible intéressante pour les virus car il reste allumé même lorsque l'alimentation est coupée.
Historique
Dès 1930, Julius Edgar Lilienfeld, de l'université de Leipzig, déposait un brevet dans lequel il décrivait un élément assez proche du transistor MOS et qui aurait pu constituer le premier transistor de l’histoire. Il fallut cependant attendre le début des années 1960 pour voir apparaître les premiers dispositifs MOS puis CMOS industriels, dont le développement avait été rendu possible par les progrès enregistrés dans le domaine des transistors bipolaires, et en particulier la résolution des problèmes d'interface oxyde-semiconducteur[2]. Aujourd'hui, le transistor MOS constitue, grâce à sa simplicité de fabrication et à ses dimensions réduites, l'élément fondamental des circuits intégrés numériques[3].
Notes et références
- ↑ Mc MOS Handbook, Products-Characteristics-Applications, Motorola Inc. Semiconductor Products Division, First Edition, October 1973, chapter 3 by Lubomir Cergel: General CMOS characteristics, p. 3.1-3.11
- ↑ John Richard Davis, Instabilities in MOS Devices (Electrocomponent Science Monographs) , éd. Gordon & Breach Science Publishers, 1980 (ISBN 0677055900)
- ↑ Jean-Baptiste Waldner, Nano-informatique et Intelligence Ambiante - Inventer l'Ordinateur du XXIe siècle, éd. Hermes Science, Londres, 2007 (ISBN 2746215160) p. 40-41
Voir aussi
Articles connexes
- Circuit intégré numérique
- Capteur photographique
- MOSFET
- Fonctions logiques
- Table de Karnaugh
- Électronique numérique
- Additionneur
- Multiplexeur
- VHDL
- TTL
Liens externes
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