Ionel Solomon

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Ionel Solomon

Ionel Solomon, né le 8 janvier 1929 à Iași (Roumanie), est un physicien français, membre de l'Académie de sciences, directeur de recherche émérite au CNRS, ancien professeur de l'École polytechnique. Il a été invité dans diverses universités (Liverpool, Harvard, Tokyo).

Sommaire

Biographie

Ionel Solomon est un ancien élève de l'École Polytechnique et docteur ès sciences.

Sa carrière scientifique a été consacrée à la physique du solide, avec des travaux dans le domaine de la résonance magnétique et des semi-conducteurs photovoltaïques. En résonance magnétique nucléaire (RMN), ses travaux pionniers ont permis de jeter les bases du mécanisme de l'interaction dipolaire spin-spin, connue sous le nom d'effet Overhauser nucléaire (NOE). Cette formalisation porte aujourd'hui le nom d'« équations de Solomon »[1].

Il a fait une partie de sa carrière au sein d'entreprise privée : directeur scientifique de SOLEMS, président du conseil scientifique de Phototronics.

Publications (liste sélective)

  • Résonance magnétique nucléaire (1955-1965) : Découverte de la relaxation dans un système de spins couplés. Magnétomètre terrestre. Détection bolométrique de la résonance.
  • Physique des Semiconducteurs (1966-1976) : L'effet Hall “extraordinaire”. Pompage optique dans les solides. Découverte du transport dépendant des Spins.
  • Silicium amorphe et photovoltaïque (1977-1987) : transport et optique dans le silicium amorphe. Photopiles solaires. Nouveaux matériaux amorphes[2],[3],[4],[5].
  • Recherche matériaux (depuis 1989) : fibres carbone, fibres SiC et SiCN. Photoluminescence et électroluminescence dans les semiconducteurs et dispositifs[6].

Prix et distinctions

Notes et références

  1. http://prola.aps.org/abstract/PR/v99/i2/p559_1 I. Solomon. Relaxation Processes in a System of Two Spins. Phys. Rev. 9: 559 (1955)
  2. I. Solomon, M.P. Schmidt, H. Tran Quoc. Selective low-power plasma decomposition of silane-methane mixtures for the preparation of methylated amorphous silicon. Phys. Rev. B38, 9895 (1988)
  3. I. Solomon, B. Drevillon, H. Shirai, N. Layadi. Plasma deposition of microcrystalline silicon: the selective etching model., J. Non-crystalline Solids, 164-166, p. 989 (1993).
  4. K. Rerbal, F. Jomard, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam, I. Solomon. Visible luminescence of porous amorphous Si(1-x) Cx:H due to selective dissolution of silicon. Appl. Phys. lett. 83, p. 45 (2003)
  5. K. Kerbral, J.N. Chazalviel, F. Ozanam, I. Solomon. Temperature dependence of photoluminescence in amorphous Si1-xCx:H films. Eur. Phys. J. B51, p. 61 (2006)
  6. I. Solomon. "Amorphous Semiconductors", In Topics in Applied Physics, Ed. Springer Verlag, Berlin (1979)

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