Self-aligned gate
- Self-aligned gate
-
Une self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET.
schéma d'un transistor MOFSET vu de côté
La technique de self-aligned gate est née en 1966, et fut brevetée aux États-Unis en octobre 1969.
Voir aussi
Portail de l’électricité et de l’électronique
Wikimedia Foundation.
2010.
Contenu soumis à la licence CC-BY-SA. Source : Article Self-aligned gate de Wikipédia en français (auteurs)
Regardez d'autres dictionnaires:
Self-aligned gate — A self aligned gate is a design arrangement where a highly doped gate in a MOSFET is used as a mask for the doping of the source and drain around it. This technique ensures that the gate will always overlap the edges of the source and drain. The… … Wikipedia
self-aligned gate — susitapatinančioji užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate; self registered gate vok. selbstjustiertes Gate, n rus. самосовмещённый затвор, m pranc. grille auto alignée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate MOS — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate MOS structure — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit selbstjustiertem Gate, m rus. полевой транзистор с самосовмещённым… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate metal-nitride-oxide-semiconductor transistor — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate metal nitride oxide semiconductor transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Transistor … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate Schottky field-effect transistor — Šotkio lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate Schottky field effect transistor vok. selbstjustierter Schottky Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор Шотки с… … Radioelektronikos terminų žodynas
advanced MOS self-aligned gate process — patobulinta MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. advanced MOS self aligned gate process vok. fortgeschrittene MOS Technologie mit selbstjustierendem Gate, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-registered gate — susitapatinančioji užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate; self registered gate vok. selbstjustiertes Gate, n rus. самосовмещённый затвор, m pranc. grille auto alignée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned polysilicon-gate MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология… … Radioelektronikos terminų žodynas
