Base commune

Un amplificateur à base commune.

En électronique, une base commune est un type d'amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire. Le terme de base commune vient du fait que l'électrode « base » du transistor est reliée à la masse. Dans cette configuration, le signal d'entrée est appliqué à l'émetteur, le signal de sortie étant récupéré au collecteur.

Ce circuit n'est pas le plus employé en basse fréquence, mais il est souvent utilisé pour les amplificateurs qui exigent une impédance d'entrée exceptionnellement basse, comme par exemple les microphones à bobine mobile. Ce circuit est très utilisé dans les amplificateurs à haute fréquence, comme par exemple pour la VHF ou l'UHF car sa capacité d'entrée n'est pas accrue par l'effet Miller, responsable de la chute du gain à haute fréquence du montage à émetteur commun. Il est aussi souvent utilisé dans les amplificateurs à plusieurs étages car son courant d'entrée dépend très peu de sa tension de sortie.

Une autre application de ce montage est le « buffer » de courant, le courant d'entrée I_E étant quasiment égal au courant de sortie I_C.

Caractéristiques en petits signaux

Remarque: Les lignes parallèles indiquent que les composants sont disposés en parallèle.

Gain en tension

${V_\mathrm{out} \over V_\mathrm{in}} = g_m (R_\mathrm{C} \| R_\mathrm{load})\,$

Résistance d'entrée

$r_\mathrm{in} = R_\mathrm{E} \left\| {r_\pi\over 1 + \beta_0} \right.$

On néglige la résistance R1//R2 car la base est à la masse (on court-circuit R1//R2)

Gain en courant

$A_\mathrm{vm} = {r_\mathrm{in} \over R_\mathrm{load}}$

Résistance à la sortie

$r_\mathrm{out} = R_\mathrm{C}\,$

Les variables non listées sur le schéma sont :

g_m : la transconductance en siemens, calculée grâce à , avec :
- $I_\mathrm{C} \,$ : le courant de polarisation du collecteur,
- $V_\mathrm{T} = { kT \over q } \,$ est la tension thermique. Elle dépend de la constante de Boltzmann k, de la charge élémentaire q, et de la température T du transistor en kelvins. À température ambiante elle est de 25 mV (cf. Google calculator).
$\beta_0 = { I_\mathrm{C} \over I_\mathrm{B} } \,$ est le gain en courant à basse fréquence (communément appelé h_FE). C'est un paramètre spécifique à chaque transistor. Il est indiqué dans sa fiche technique.
$r_\pi = { \beta_0 \over g_m } = { V_\mathrm{T} \over I_\mathrm{B} } \,$

Courant à saturation

$IcSat =\frac{Vcc}{\left (Rc + Re \right )}$

Courant collecteur

$Ic = \frac{\left ( \left (\frac{R2}{R1+R2} \right )* Vcc \right )-0,7}{Re}$

Tension d'entrée du collecteur

$Vce=Vcc - \left ( Ic * \left ( Rc + Re \right ) \right )$

Résistance d'entrée

R e n = β c c * R e

Résistance d'entrée "prime"

$Re'=\frac{25}{Ie}\simeq \frac{25}{Ic}$

Voir aussi

Liens internes

Amplificateur électronique
Montages amplificateurs :
- Pour transistor bipolaire :
  - Collecteur commun,
  - Émetteur commun.
- Pour transistor à effet de champ :

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Catégorie :

Amplificateur électronique

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