Thyristor GTO

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Le thyristor à extinction par la gâchette (thyristor GTO ou plus simplement GTO, de l'anglais Gate Turn-Off Thyristor), c’est-à-dire thyristor blocable par la gâchette (par application d'une tension négative sur la gâchette), est un thyristor qu'il ne faut en aucun cas commuter avant que la transition précédente ne soit entièrement terminée (risque de casse du composant). Il y a donc un temps minimal de blocage (typiquement 100µs), ce qui est l'une des limitations en fréquence de commutation du GTO.

Circuits d'aide à la commutation

Circuit d'aide à la commutation.

Un GTO « classique » est limité :

• en vitesse de croissance du courant à la mise en conduction (dI/dt typique: 300A/µs),
• en vitesse de croissance de la tension au blocage (dV/dt typique: 400V/µs),
• comme tout composant, en tension crête instantanée (valeur selon le calibre).

Pour respecter ces contraintes, on aura généralement besoin de:

• un circuit inductif en série,
• un circuit capacitif en parallèle,
• un circuit d'écrêtage de la tension en parallèle.

Ceci a généralement pour conséquence d'augmenter les pertes globales du système. Néanmoins, il est possible de concevoir des schémas à récupération d'énergie pour améliorer le rendement.

Le HDGTO peut supporter des dV/dt bien plus importants et peut donc fonctionner sans le circuit capacitif.

Structure

Vue en coupe

Le GTO est structurellement identique à un thyristor, donc muni de 3 électrodes :

• l'anode A
• la cathode K
• l'électrode de commande appelée gâchette G.

Il est composé de quatre couches dopées alternativement P, N, P, N.

La différence principale avec un thyristor est que la gâchette est fortement interdigitée, c'est-à-dire divisée en un réseau de mini-gâchettes distribuées sur toute la puce, afin de permettre une extraction uniforme du courant lors du blocage.

Technologie

GTO en boîtier press-pack (calibre 1600A)

Les GTO, comme les gros thyristors, sont réalisés sous la forme de grandes puces monolithiques en forme de disque (jusqu'à 125 voire 150 mm de diamètre^[1]).

Ils sont généralement encapsulés dans des boîtiers en céramique, qui doivent être pressés entre deux dissipateurs thermiques, lesquels assurent aussi les contacts électriques d'anode et de cathode (en anglais: press-pack). Ces boîtiers ont une faible résistance thermique, et sont bien adaptés au refroidissement à l'eau. Ils se prêtent aussi très bien à la construction de piles de composants en série.

Gammes et usages

On trouve les GTO et les GCT en trois « type » :

• les GTO symétriques supportent la même tension dans les deux sens (V_ak-max ≈ V_ka-max);
• les GTO asymétriques, les plus courants, ne supportent la tension que dans le sens V_ak, et doivent donc être utilisés avec une diode anti-parallèle (diode de roue libre);
• les 'GTO à conduction inverse (anglais: reverse-conducting GTO), sont en fait des GTO asymétriques dont la diode de roue-libre est intégrée sur la même puce.

Les GTO asymétriques sont utilisés dans les onduleurs de tension, de la même façon que les IGBT. Les GTO symétriques peuvent être utilisés dans les onduleurs de courant, les contacteurs statiques, etc.

Actuellement il n'existe plus sur le marché que trois gammes de tension – 2500V, 4500V et 6000V –, pour des courants commutables d'environ 600A jusqu'à 6000A.

Notes et références

Voir aussi

• Thyristor MCT
• Thyristor ETO
• Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)
• MOSFET
• thyristor
• transistor

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