Phase-Change Random Access Memory
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La mémoire PRAM, pour Phase-Change RAM (ou Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM ou encore C-RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile encore à l'état de recherche et développement.
À ne pas confondre avec la PRAM (« mémoire des paramètres ») bien connue des utilisateurs Mac.
Description
La mémoire PRAM utilise la propriété du verre de chalcogénure, qui le fait basculer de la forme cristalline à la forme amorphe sous l'effet de la chaleur. De manière générale, les matériaux utilisés ou étudiés pour la réalisation de mémoires PRAM sont appelés matériaux à changement de phase.
Les chercheurs espèrent que ce type de mémoire remplacera un jour la mémoire flash, mais 3 obstacles ont été mis en évidence: Le premier est la hausse non maîtrisée du courant nécessaire à une écriture mémoire avec l'augmentation de la finesse de gravure. Le second est la sensibilité des cellules de PRAM à la chaleur. Enfin, une troisième équipe a mis en évidence une augmentation du bruit électronique (de type bruit télégraphique) dans les cellules avec la diminution de la taille de celles-ci[1].
Samsung a annoncé le 28 avril 2010 la livraison des premières PRAM aux fabricants[2],[3].
Notes et références
Voir aussi
Liens externes
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2010.
Contenu soumis à la licence CC-BY-SA. Source : Article Phase-Change Random Access Memory de Wikipédia en français (auteurs)
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