Magnéto-résistif

La magnétorésistance est la propriété qu'ont certain matériaux de présenter une résistance qui évolue lorsqu'ils sont soumis à un champ magnétique. Cet effet a été découvert par William Thomson en 1857. Il fut cependant incapable de faire varier la résistance électrique de plus de 5%. De récentes recherches sur les matériaux ont permis de découvrir la magnétorésistance géante, la magnétorésistance « colossale » et la magnétorésistance à effet tunnel.

Magnétorésistance anisotropique

La magnétorésistance anisotrope est la propriété de certains matériaux à présenter une résistance électrique dépendant de l'angle formé entre le flux de courant et l'orientation d'un champ magnétique.

On l'attribue à une probabilité plus importante de diffusion électronique s-d dans la direction du champ magnétique. On oberve ainsi une résistance maximale lorsque la direction du courant est parallèle au champ magnétique.

Dans un semiconducteur, on peut observer une magnétorésistance proportionnelle à (1+ (μB)²), où μ est la mobilité électronique (en m^2·V^-1·s^-1 ou T ^-1) et B le champ magnétique (en teslas). L'antimonide d'indium, semiconducteur à haute mobilité, pourrait présenter une mobilité au dessus de 4 m²·V^-1·s^-1 à 300 K. Ainsi, dans un champ de 0.25 T, on observerait une augmentation de magnétorésistance de 100%.

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